英飞凌今日公布，将于奥地利菲拉赫（Villach）设置装备摆设欧洲首坐采用300毫米晶圆制程出产氮化镓（GaN）功率半导体的年夜范围量产工场，总投资额约11亿欧元，规划在2027年末前投产。

全世界功率半导体龙头英飞凌（Infineon）今日公布，将于奥地利菲拉赫（Villach）设置装备摆设欧洲首坐采用300毫米晶圆制程出产氮化镓（GaN）功率半导体的年夜范围量产工场，总投资额约11亿欧元，规划在2027年末前投产。

这一动静标记着氮化镓功率半导体从试验室验证阶段正式迈入范围化量产时代，同时也象征着欧洲于功率半导体系体例造范畴迈出了从 设计强、制造弱 向自立可控转型的要害一步。

图：英飞凌奥地利菲拉赫基地

300妹妹氮化镓，从 能做 到 量产 的质变

氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体质料，相较在传统硅基器件，具备更高的电子迁徙率及更宽的禁带宽度，可以或许于更高频率、更高电压及更高温度下高效事情。这使患上氮化镓器件于功率转换效率上显著优在硅基MOSFET及IGBT，特别于高频开关运用中揭示出较着上风。

英飞凌早于两年前便完成为了全世界初次300毫米氮化镓晶圆出产，实现了从0到1的技能冲破。而这次公布的工场，焦点意义于在完成从1到N的超过 将试验室工艺转化为面向客户的年夜范围量产能力。

300毫米晶圆比拟200毫米晶圆，更年夜的晶圆直径使单片晶圆可切割的芯片数目到达2.3倍，直接带来单元芯片制造成本的显著降落。对于在功率半导体这类对于成本高度敏感的市场而言，这一范围效应至关主要。

图：300毫米晶圆上的下一代氮化镓功率半导体

英飞凌科技首席履行官JochenHanebeck暗示， 经由过程成立300毫米晶圆的年夜范围制造能力，咱们将成为全世界首家实现氮化镓功率电子产物范围化量产的企业。

AI数据中央与电动出行双轮驱动

英飞凌选择此时加码氮化镓量产，暗地里是明确的市场需求驱动。

于AI数据中央范畴，算力芯片功耗急剧爬升，传统硅基供电方案已经靠近效率瓶颈，氮化镓器件依附其高频高效特征，成为数据中央电源设计的主要技能线路之一。于电动汽车范畴，800V高压平台的普和对于功率器件的开关频率及效率提出了更高要求，氮化镓于车载OBC（车载充电器）及DC-DC转换器中的运用正于加快渗入。

此外，光伏逆变器、储能体系、工业呆板人等运用场景也对于高能效功率半导体提出了连续增加的需求。

据YoleGroup于《功率氮化镓2026》陈诉中猜测，全世界氮化镓功率半导体市场范围将从2025年的约5.88亿美元增加至2031年的约35亿美元，2025至2031年间的复合年增加率（CAGR）约为35%。这一增速远超传统功率半导体细分市场，显示出氮化镓正于从 高端niche 向 主流运用 快速演进。（点击回首）

从细分运用市场来看，消费和挪动电子仍是市场基本盘，受益在快充充电器与家电产物连续普和，该板块2031年估计到达17亿美元，占总体市场近50%。但增加势头最为迅猛的是汽车与基础举措措施两年夜范畴：汽车范畴（车载充机电、48V架构）将连结57%的年复合增加率；电信与基础举措措施（AI数据中央供电）将连结45%的年复合增加率，2031年市场范围将达7.5亿美元。

全世界氮化镓赛道竞速

放眼全世界氮化镓功率半导体市场竞争格式，英飞凌这次结构并不是伶仃事务。

按照YoleGroup 2025年市场数据，中国氮化镓巨头英诺赛科（Innoscience）以31%的市场份额位居行业首位，并连续向汽车、数据中央市场拓展营业邦畿。英飞凌以16%的市场份额升至第二，PowerIntegrations以14%的市场份额位居第三。值患上留意的是，纳微半导体（Navitas）因战略重心从消费电子快充转向AI数据中央、汽车和能源等更高价值运用范畴，市场份额有所下滑，跌出前三。

此外，安森美（onsemi）也是主要的新晋介入者，该公司2025年12月公布与格芯（GlobalFoundries）互助，基在200毫米硅基氮化镓平台开发650V器件；同年又公布与英诺赛科告竣互助，摸索采用其200妹妹GaN-on-Si晶圆制造能力。

制造格式方面，行业并未向某一家头部代工场集中，反而出现分离化成长态势。台积电（TSMC）的退出加快了代工场的多元化进程，格罗方德（GlobalFoundries）、X-FAB、世界进步前辈（VIS）、力积电（PSMC）、三星（Samsung）、DB HiTek、SK Keyfoundry等企业正于踊跃扩大其氮化镓制造能力。

英飞凌选择自建量产工场而非依靠代工，表现了其于氮化镓技能线路上的差异化战略 经由过程掌控从工艺开发到量产的全链条，成立竞争壁垒。

欧洲芯片自立，政策驱动下的财产投资

值患上留意的是，该项目得到了欧盟《欧洲芯片法案》（ChipsAct）框架下的政策撑持。欧盟委员会已经批准奥地利当局向该项目提供最高3.19亿欧元的财务补贴。这象征着英飞凌的现实本钱开支压力将有所减缓，同时也表现了欧盟经由过程大众资金撬动本土半导体系体例造能力的战略用意。

奥地利联邦总理ChristianStocker将此投资称为 奥地利高科技财产史上范围最年夜的单笔投资之一 。奥地利经济事件部长WolfgangHattmannsdorfer则直言， 芯片之在将来经济的主要性，如同石油之在已往的经济。咱们但愿经由过程财产计谋巩固这项领先上风，不仅要研发新技能，更要鞭策这些技能实现财产化范围制造。

从财产地舆角度看，菲拉赫并不是传统意义上的半导体重镇。英飞凌奥地利公司今朝约有5800名员工，此中约4800人位在菲拉赫基地。该基地持久以来以功率器件的研发及中小批量出产为主，这次引入300毫米氮化镓量产线，将显著晋升该基地于全世界英飞凌产能邦畿中的战略职位地方。

欧洲半导体系体例造的 补课 之战

放眼全世界功率半导体系体例造格式，亚洲 特别是台湾、韩国及中国年夜陆 一直是功率器件的重要产区。欧洲虽然于芯片设计（如英飞凌、意法半导体、恩智浦）及EDA东西范畴拥有深挚堆集，但于晶圆制造环节持久依靠外部代工或者自身产能有限。

英飞凌这次于欧洲本土设置装备摆设氮化镓量产基地，既是基在供给链安全及客户就近办事的贸易考量，也反应了欧洲半导体财产于政策驱动下加快补课的实际需求。与美国《芯片与科学法案》及韩国、日本当局对于进步前辈制程的巨额补助比拟，欧洲经由过程《芯片法案》撬动的资金范围仍显有限，但于功率半导体这一细分范畴，欧洲有望依附英飞凌等技能龙头成立差异化竞争上风。

固然，挑战一样不容轻忽。从项目公布到2027年末投产，时间窗口仅有一年摆布，思量到晶圆厂设置装备摆设、装备调试、工艺验证及客户认证等繁杂环节，这一时间表颇具挑战性。此外，氮化镓量产工艺的良率晋升、供给链当地化配套、以和纯熟工艺工程师的贮备，都是需要一一霸占的难题。

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